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MT29F1G08ABAEAWP:E技术资料【欧克电子】{茫崖新闻}

2021-07-29 04:57:46 围观 : 50次 来源 : www.hdsjbf.cn 作者 : 魔方软件

MT29F1G08ABAEAWP:E技术资料—【欧克电子】{茫崖新闻}

存储 IC——现代信息技术的基石

  存储器可以说是大数据时代的基石。存储器就类似于钢铁之于现代工业,是名副其实的电子行业“原材料”。计算机中的全部信息,包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和终运行结果都保存在存储器中。

  从大类上看,存储器可以分为光学存储器、半导体存储器、磁性存储器。半导体存储器是目前主要的存储器类别, 以断电后存储数据是否丢失为标准, 半导体存储芯片可分两类:一类是非易失性存储器,这一类存储器断电后数据能够存储,主要以 NAND Flash 为代表,常见于 SSD(固态硬盘);另一类是易失性存储器,这一类存储器断电后数据不能储存,主要以 DRAM 为代表,常用于电脑、手机内存。除了 NAND Flash 和 DRAM,还包含其他门类,例如 Nor Flash、 SRAM、 RRAM、 MRAM、 FRAM 等 。

NOR和NAND是现如今国际市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NORflash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NANDflash结构,强调环比减少每比特的成本,更高的性能,除此以外象磁盘一个样可以通过接口轻松升级。还有经过了十多年再然后,应该还有非常多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。相flash存储器一直可以与相NOR存储器互换选用。超多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相关于NOR技术的优越之处,出于绝大多数情况下闪存仅是用来存储少量的代码。这个时刻NOR闪存更适合一点。而NAND则变成是高数据存储密度的理想解决方案。NOR的优点是芯片内执行(P。MT29F1G08ABAEAWP:E技术资料—【欧克电子】{茫崖新闻}NAND适合于数据存储,NANDpactFlash、SecureDigital、PCCards和MMC存储卡国内市场上所占份额大。稳当性和耐用性采用flahs介质时一款需要重点考虑的问题是靠得住性。有关于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常实惠的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来极其NOR和NAND的靠得住性。寿命(耐用性)在NAND闪存中随便一个块的大擦写是一百万次,而NOR的擦写是十万次。NAND存储器除了具备着10比1的块擦除时间周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍。任意一个NAND存储器块在给定的内的删除要少些许。位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。在那些情况下(很少见。包含性能优化。在NOR器件上运行代码不需任何的软件支持,在NAND器件上开展同样是操作时,基本需要驱动程序,也一样是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在开展写入和擦除操作时都需要MTD。选用NOR器件时所需要的MTD要相对少些许,很多生产商都提供用作于NOR器件的更高级软件,这当中包含M-System的TrueFFS驱动,该驱动被WindRiverSystem、Microsoft、QNXSoftwareSystem、Symbian和Intel等经销商所采用。驱动还用作于对DiskOnChip产品实施仿真和NAND闪存的管理。包含纠错、坏块处理和损耗平衡。nCopyright(c)AllrightsreservednNANDFlash中的SLC、MLC如何识别?

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